دستاورد بزرگ CXMT؛ تراشهساز چینی تولید آزمایشی حافظههای HBM۳E را آغاز کرد
شرکت چینی CXMT تولید محدود حافظه HBM3E را آغاز کرد و قصد دارد تولید آن را از سال ۲۰۲۷ افزایش دهد.
شرکت چینی CXMT تولید مقادیر محدودی از حافظه پیشرفته HBM3E را آغاز کرده است؛ این امر میتواند وابستگی چین به تأمینکنندگان خارجی این نوع حافظه مورد استفاده در تراشههای هوش مصنوعی را کاهش دهد.
CXMT جزئیات دقیق تراشههای HBM3E خود را اعلام نکرده است. بااینحال، مشخصات استاندارد این نسل از حافظه نشان میدهد HBM3E میتواند از رابط ۱۰۲۴ بیتی و سرعت انتقال ۹.۲ تا ۱۲.۴ گیگابیتبرثانیه بهره ببرد. در پیکربندی رایج با سرعت ۹.۶ گیگابیتبرثانیه، پهنای باند به حدود ۱.۲ ترابایتبرثانیه میرسد.
ظرفیت حافظه نیز میتواند ۲۴ یا ۳۶ گیگابایت باشد. در ساختار HBM، چندین لایه تراشه حافظه DRAM روی یکدیگر قرار میگیرند تا پهنای باند بسیار بالایی برای پردازندههای هوش مصنوعی فراهم شود.
تولید آزمایشی حافظه HBM3E توسط شرکت چینی CXMT
CXMT در حال حاضر دو کارخانه بزرگ تولید ویفر ۱۲ اینچی دارد. مجموع ظرفیت این دو کارخانه حدود ۲۰۰ هزار ویفر در ماه است و انتظار میرود این رقم تا پایان سال به ۳۵۰ هزار ویفر در ماه برسد. این شرکت همچنین برای راهاندازی ظرفیتهای تولید جدید برنامهریزی کرده است که در صورت تحقق، ظرفیت تولید آن را در آینده به حدود ۶۰۰ هزار ویفر در ماه خواهد رساند.
گسترش تولید HBM3E میتواند برای صنعت تراشه چین اهمیت داشته باشد، زیرا این کشور در سالهای اخیر با محدودیت دسترسی به برخی فناوریها و تراشههای پیشرفته خارجی مواجه بوده است. HBM نیز یکی از اجزای مهم مورد استفاده در سیستمهای هوش مصنوعی است.
افزایش ظرفیت تولید HBM در CXMT نیز میتواند پیامد دیگری برای بازار حافظه داشته باشد. این شرکت اخیراً تأمین تراشههای DDR5 برای ماژولهای حافظه را آغاز کرده بود و افزایش ظرفیت تولید آن میتوانست به افزایش عرضه این نوع حافظه و کاهش فشار قیمتی کمک کند.
اما تولید HBM به منابع تولیدی بیشتری نیاز دارد، زیرا این حافظه از چندین تراشه DRAM انباشتهشده در یک بسته تشکیل میشود. در نتیجه، اگر تقاضای مراکز داده و سیستمهای هوش مصنوعی برای HBM همچنان افزایش پیدا کند، بخشی از ظرفیت تولید CXMT ممکن است به این بازار اختصاص یابد.
نظر شما